1、是2G内存。
2、存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。
3、存取速度(存储周期):即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
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1、是2G内存。
2、存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。
3、存取速度(存储周期):即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
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